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https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/1207
Tipo: | Dissertação |
Título: | Desenvolvimento de um Criostato para Caracterização Elétrica do GaAs Semi-isolante. |
Autor(es): | CHAVES, André Silva |
Abstract: | Neste projeto, um criostato de nitrogênio líquido foi desenvolvido com objetivo de caracterizar amostras semi-isolantes de GaAs. As medições em altas temperaturas foram realizadas usando um forno que atinge até a temperatura de 1100ºC. As amostras foram recozidas em diferentes temperaturas (Ta): 350°C, 400°C, 450°C, 500°C e 550°C. Uma amostra com temperatura de crescimento (Tg) de 215ºC não sofreu recozimento. E através das curvas de resistividade é possível obter parâmetros importantes que descrevem os mecanismos de condução (condução por bandas, nearest neighbor hopping e variable range hopping) presentes nessas amostras e verifica-se como o processo de recozimento altera tais parâmetros. Além disso, medidas realizadas em um criostato de circuito fechado de He foram comparadas com as medidas obtidas com ocriostato desenvolvido neste projeto. |
metadata.dc.publisher.department: | IFQ - Instituto de Física e Química |
metadata.dc.publisher.program: | Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Materiais para Engenharia |
Citação: | CHAVES, André Silva. Desenvolvimento de um Criostato para Caracterização Elétricado GaAs Semi-isolante. 2012. 82 f. Dissertação (Mestrado em Materiais para Engenharia) - Universidade Federal de Itajubá. Itajubá, 2012. |
URI: | https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/1207 |
Data do documento: | 29-Mar-2012 |
Aparece nas coleções: | Dissertações |
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Arquivo | Descrição | Tamanho | Formato | |
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dissertacao_chaves_2012.pdf | 2,94 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
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