Use este identificador para citar ou linkar para este item:
https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/2222
Registro completo de metadados
Campo DC | Valor | Idioma |
---|---|---|
dc.creator | BRITO, Thaironi Menezes de | - |
dc.date.issued | 2020-08-27 | - |
dc.identifier.uri | https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/2222 | - |
dc.description.abstract | This work shows a study of temperature behavior of self-cascode composite transistors (SCCTs) and Schottky diode in order to generate both PTAT and CTAT voltages of a temperature-compensated voltage reference. The SCCTs study also shows that it is possible to obtain a compensated voltage with a proper sizing and biasing of the SCCT. The voltage reference was designed based on achieved results and it was fabricated in a 130 nm CMOS process. The circuit occupies an area of 67.98 μm x 161.7 μm and it was measured in temperature and power-supply variation. A trimming circuit also is added to the reference in order to adjust the temperature coefficient (TC). The averaged output voltage is 720 mV with a VDD of 1.1 V. The averaged TC is 56 ppm/ºC in a temperature range of -40 to 85 ºC. The circuit works in a power-supply range of 1.1 to 2.5 V and its power consumption is 750 nW. | pt_BR |
dc.description.sponsorship | Agência 1 | pt_BR |
dc.language | por | pt_BR |
dc.publisher | Universidade Federal de Itajubá | pt_BR |
dc.rights | Acesso Aberto | pt_BR |
dc.subject | Referência de tensão | pt_BR |
dc.subject | Diodo Schottky | pt_BR |
dc.subject | Self-cascode composite transistor | pt_BR |
dc.subject | Baixo consumo | pt_BR |
dc.title | Uma referência de tensão CMOS integrada utilizando transistor composto cascode e diodo Schottky | pt_BR |
dc.type | Dissertação | pt_BR |
dc.date.available | 2020-11-20 | - |
dc.date.available | 2020-11-20T13:26:21Z | - |
dc.date.accessioned | 2020-11-20T13:26:21Z | - |
dc.creator.Lattes | http://lattes.cnpq.br/1437403658084755 | pt_BR |
dc.contributor.advisor1 | MORENO, Robson Luiz | - |
dc.contributor.advisor1Lattes | http://lattes.cnpq.br/6281644588548940 | pt_BR |
dc.contributor.advisor-co1 | COLOMBO, Dalton Martini | - |
dc.contributor.advisor-co1Lattes | http://lattes.cnpq.br/0909961438322138 | pt_BR |
dc.description.resumo | Este trabalho apresenta o estudo da performance em temperatura de self-cascode composite transistors (SCCTs) e do diodo Schottky com o objetivo de gerar as tensões PTAT e CTAT, respectivamente, que compõem uma referência de tensão compensada na temperatura. O estudo dos SCCTs também mostrou ser possível obter uma tensão compensada apenas ajustando a dimensão e o ponto de operação dos transistores que formam o SCCT. A referência foi projetada baseada nestes resultados e fabricada em um processo CMOS 130 nm. O circuito ocupa uma área de 67,98 μm x 161,7 μm. Para validação do projeto, o circuito foi medido com a variação de temperatura e tensão de alimentação. Um circuito de ajuste também foi projetado para ajustar o coeficiente de temperatura da referência (TC). A tensão de saída média obtida foi de 720 mV em um VDD de 1,1 V. O TC médio obtido foi 56 ppm/ºC em uma faixa de temperatura de -40 a 85 ºC. O circuito opera em uma faixa e tensão de alimentação de 1,1 a 2,5 V. O consumo do circuito é de 750 nW. | pt_BR |
dc.publisher.country | Brasil | pt_BR |
dc.publisher.department | IESTI - Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informação | pt_BR |
dc.publisher.program | Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia Elétrica | pt_BR |
dc.publisher.initials | UNIFEI | pt_BR |
dc.subject.cnpq | CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELÉTRICA::INSTRUMENTAÇÃO ELETRÔNICA::MICROELETRÔNICA | pt_BR |
dc.relation.references | BRITO, Thaironi Menezes de. Uma referência de tensão CMOS integrada utilizando transistor composto cascode e diodo Schottky. 2020. 60 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) – Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2020. | pt_BR |
Aparece nas coleções: | Dissertações |
Arquivos associados a este item:
Arquivo | Descrição | Tamanho | Formato | |
---|---|---|---|---|
Dissertação_2020106.pdf | 3,19 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
Os itens no repositório estão protegidos por copyright, com todos os direitos reservados, salvo quando é indicado o contrário.