Repositório UNIFEI UNIFEI - Campus 1: Itajubá PPG - Programas de Pós Graduação Dissertações
Use este identificador para citar ou linkar para este item: https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/2758
Registro completo de metadados
Campo DCValorIdioma
dc.creatorCREPALDI, Paulo César-
dc.date.issued1992-10-20-
dc.identifier.urihttps://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/2758-
dc.languageporpt_BR
dc.publisherUniversidade Federal de Itajubápt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.subjectModelagem de transistorespt_BR
dc.subjectCampo MOS de enriquecimentopt_BR
dc.subjectModelagem de Mosfetspt_BR
dc.titleModelagem de transistores de efeito de campo MOS de fortalecimento – Um estado da artept_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
dc.date.available2021-12-15-
dc.date.available2021-12-15T12:46:38Z-
dc.date.accessioned2021-12-15T12:46:38Z-
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/5741410875148861pt_BR
dc.contributor.advisor1CALDEIRA, Laércio-
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/3137166078502632pt_BR
dc.contributor.advisor-co1WAKI, Paulo Sizuo-
dc.contributor.advisor-co1Latteshttp://lattes.cnpq.br/6416497515150655pt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.departmentIEPG - Instituto de Engenharia de Produção e Gestãopt_BR
dc.publisher.programPrograma de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia Elétricapt_BR
dc.publisher.initialsUNIFEIpt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELÉTRICApt_BR
Aparece nas coleções:Dissertações

Arquivos associados a este item:
Arquivo Descrição TamanhoFormato 
Dissertação_19928200686.pdf50,21 MBAdobe PDFVisualizar/Abrir
Mostrar registro simples do item Visualizar estatísticas


Os itens no repositório estão protegidos por copyright, com todos os direitos reservados, salvo quando é indicado o contrário.