Repositório UNIFEI UNIFEI - Campus 1: Itajubá PPG - Programas de Pós Graduação Dissertações
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dc.creatorCOSTA, Isabela Franco-
dc.date.issued2022-04-05-
dc.identifier.urihttps://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/3282-
dc.description.abstractNão constapt_BR
dc.languageporpt_BR
dc.publisherUniversidade Federal de Itajubápt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.subjectOscilações Shubnikov-de Haaspt_BR
dc.subjectEfeito Rashbapt_BR
dc.subjectPoços quânticos de PbTept_BR
dc.subjectHeteroestrutura baseada em SnTept_BR
dc.subjectIsolante topológico cristalinopt_BR
dc.subjectTransporte por multivalespt_BR
dc.titleOscilações de Shubnikov-de Haas em nanoestruturas baseadas em semicondutores de gap estreitopt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
dc.date.available2022-04-25-
dc.date.available2022-04-25T11:35:05Z-
dc.date.accessioned2022-04-25T11:35:05Z-
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/5946842583369390pt_BR
dc.contributor.advisor1PERES, Marcelos Lima-
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/0335350966509134pt_BR
dc.description.resumoNeste trabalho foram investigadas propriedades de magneto transporte em estruturas de poço quântico de PbTe, dopado com BaF2, e uma heteroestrutura de SnTe/Sn(1-x)EuxTe. Ambas as estruturas foram crescidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE) pelo Laboratório Associado de Sensores e Materiais do Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais – LAS/INPE na cidade de São José dos Campos (SP), a fim de desenvolver semicondutores com alta cristalinidade. Essas estruturas são do tipo-p e com espessuras dadas por 10 nm do poço e 5 µm do filme. As medidas realizadas consideraram duas condições de iluminação, com luz infravermelha (IR) (940 nm de comprimento de onda) e escuro, para temperaturas variando de 300 K até 1,9 K e com campo magnético aplicado de até 9 T perpendicular à superfície. Nas discussões das curvas de magnetorresistência foram analisadas as componentes oscilatórias do efeito Shubnikov-de Haas, a fim de identificar a origem do padrão de batimento, considerando a ocorrência do efeito Rashba devido interações de efeito spin-órbita e propriedades de simetria do sistema. Com essa finalidade foram calculados massas efetivas, concentração e mobilidade eletrônica de portadores, além dos fatores-𝑔 de Landé, para investigar anisotropia do sistema. Nas análises das medidas de magneto transporte para o poço quântico de PbTe:BaF2 foram confirmadas o transporte por multivales, ou seja, com contribuição no transporte eletrônico pelos vales longitudinais e oblíquo da superfície de Fermi, através do cálculo das energias de confinamento dos vales dentro do poço. Enquanto para a heteroestrutura o transporte ocorreu apenas através do vale longitudinal. Para essas amostras também foram verificados os efeitos que contribuíram para geração das componentes oscilatórias do efeito Shubnikov-de Haas. Nesse caso, para o PbTe:BaF2 o cálculo da energia de Rashba de 8,4 𝑚𝑒𝑉 explicou splitting do vale longitudinal e a ocorrência das frequências 𝛼 e 𝛽. Para a heteroestrutura essa energia do splitting de Rashba correspondeu a um valor pequeno de 0,17 𝑚𝑒𝑉, calculada a partir de valores de frequências das oscilações Shubnikov-de Haas extraídas do ajuste Lifshitz-Kosevich (LK). Desse mesmo ajuste foram confirmados o transporte por estados de bulk na heteroestrutura, embora o SnTe seja isolante topológico cristalino e na teoria de isolantes topológicos são esperados transporte por estados de superfície (TSS).pt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.departmentIFQ - Instituto de Física e Químicapt_BR
dc.publisher.programPrograma de Pós-Graduação: Mestrado - Físicapt_BR
dc.publisher.initialsUNIFEIpt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::CIÊNCIAS EXATAS E DA TERRA::FÍSICApt_BR
dc.relation.referencesCOSTA, Isabela Franco. Oscilações de Shubnikov-de Haas em nanoestruturas baseadas em semicondutores de gap estreito. 2022. 74 f. Dissertação (Mestrado em Física) – Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2022.pt_BR
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