Repositório UNIFEI UNIFEI - Campus 1: Itajubá PPG - Programas de Pós Graduação Dissertações
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dc.creatorVILASBOAS, Felipe Ribeiro Campos-
dc.date.issued2004-12-17-
dc.identifier.urihttps://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/3482-
dc.description.abstractOne of the most relevant parts of a receiver is the Low Noise Amplifier – LNA. This work describes the design of a fully integrated LNA implemented in 0.35µm CMOS. The circuit should be capable of operating at 1805MHz-1820MHz band, which corresponds to the D Band of mobile communications in Brazil. The design was fully integrated, including the inductors. It was used the two stage architecture in order to achieve enough gain and provide good isolation between input and output.pt_BR
dc.languageporpt_BR
dc.publisherUniversidade Federal de Itajubápt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.subjectSistemas de comunicação móvelpt_BR
dc.subjectComunicação e GSMpt_BR
dc.subjectLinearidadept_BR
dc.subjectRuídopt_BR
dc.titleDesenvolvimento de um amplificador CMOS totalmente integrado para operar em 1.8Ghzpt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
dc.date.available2023-02-07-
dc.date.available2023-02-07T17:30:43Z-
dc.date.accessioned2023-02-07T17:30:43Z-
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/4294241449907016pt_BR
dc.contributor.advisor1PIMENTA, Tales Cleber-
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/3321577431881283pt_BR
dc.description.resumoEsse trabalho descreve o projeto de um amplificador de baixo ruído (LNA) que foi implementado em tecnologia CMOS de 0,35µm. O circuito irá operar na faixa de freqüência de 1805 MHz a 1820 MHz, correspondente a Banda D de telefonia celular no Brasil. O LNA é totalmente integrado, inclusive os indutores que foram implementados usando uma das camadas de metal oferecidas pelo processo. Foi utilizada uma arquitetura de dois estágios para prover ganho suficiente e prover um ótimo isolamento entre a entrada e a saída.pt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.departmentIESTI - Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informaçãopt_BR
dc.publisher.programPrograma de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia Elétricapt_BR
dc.publisher.initialsUNIFEIpt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELÉTRICApt_BR
dc.relation.referencesVILASBOAS, Felipe Ribeiro Campos. Desenvolvimento de um amplificador CMOS totalmente integrado para operar em 1.8Ghz. 2004. 105 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) – Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2004.pt_BR
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