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https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/713
Registro completo de metadados
Campo DC | Valor | Idioma |
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dc.creator | FERREIRA, Diego Henrique Oliveira | - |
dc.date.issued | 2017-02 | - |
dc.identifier.citation | FERREIRA, Diego Henrique Oliveira. Processamento e Caracterização do SnO₂(s) Dopado com Doadores/Receptores de Elétrons para Aplicação como Eletrodo Óxido Condutor. 2017. 107 f. Dissertação (Mestrado Multicêntrico em Química de Minas Gerais) – Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2017. | pt_BR |
dc.identifier.uri | https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/713 | - |
dc.description.abstract | O SnO₂(s) é um semicondutor do tipo n, possui baixa densificação, quando dopado com outros óxidos metálicos exibe um comportamento elétrico causados por defeitos intrínsecos e extrínsecos. Utilizou-se o Co₂O₃(s) como agente densificante e MoO₃(s) e WO₃(s) como principais óxidos na obtenção das propriedades elétricas. As concentrações utilizadas dos dopantes variaram em porcentagem molar, empregou-se o processamento convencional de mistura de óxidos, após a identificação dos resultados de retração do material, analisados em dilatômetro definiu-se as temperaturas de sinterização para 1.250ºC, 1.350ºC e 1.450ºC com aquecimento de 5°C/minutos. As amostras conformadas a 210 Mpa e tratadas termicamente em isoterma de 2 horas, demonstraram um aumento na densidade relativa, com média e desvio padrão de 99,03% ± 0,68% para amostra contendo 99,0% SnO₂(s) + 1,0% Co₂O₃(s) 1.450°C. As amostras foram caracterizadas por Difração de Raios-X (DRX), ilustram a existência da fase cristalina rutilo do SnO₂(s) e a inexistência de outras picos de formações de fases secundárias cristalinas, referente aos dopantes Co₂O₃(s), MoO₃(s) eWO₃(s) indicando a presença da fase esperada. Os modos vibracionais das ligações químicas foram observados na Espectroscopia no Infravermelho (IV) e Espectroscopia Raman, identificando as ligações químicas do SnO₂(s). Os valores de energia de band gap, foram obtidos pela Espectroscopia de Refletância Difusa UVVis, proporcionando um melhor resultado de Egap=3,03eV para amostra 98,75% SnO₂(s) + 1% Co₂O₃(s) + 0,25% MoO₃(s) 1.350°C, característica ideal para condução elétrica em semicondutores. As dopagens contendo Mo(s) e W(s) influenciaram na redução do tamanho de grãos das amostras, obtendo poucos poros localizados nos contornos de grãos, provavelmente ocasionados pelo processamento do material, indicam ainda a presença de aglomerados que após o processo de sinterização conduziu a formação de intra-aglomerados e inter-aglomerados, ilustradas em análises de Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV). Através da caracterização elétrica verificou-se que as amostras apresentam um comportamento semicondutor de condução por barreiras com baixa energia que surge apenas em baixas temperaturas (T<195K), indicando que o material estudado possui um grande potencial para aplicações em eletrodos óxido condutor. O parâmetro de condução aumenta, quando aumenta a temperatura que provavelmente é devido ao aumento das vacâncias de oxigênio na estrutura do óxido de estanho. Os resultados de impedância, ilustram arcos de círculo com o centro abaixo do eixo Y (Z”), indicando tratar-se de um modelo de circuito paralelo de resistor e capacitor com uma dispersão de permissividades dielétricas sendo melhor resultado para aplicação em eletrodo óxido condutor a amostra contendo 98,75% SnO₂(s) + 1% Co₂O₃(s) + 0,25% MoO₃(s) 1.250°C, sendo representado pelo menor valor de Ω. | pt_BR |
dc.language.iso | pt_BR | pt_BR |
dc.title | Processamento e Caracterização do SnO₂(s) Dopado com Doadores/Receptores de Elétrons para Aplicação como Eletrodo Óxido Condutor. | pt_BR |
dc.type | Dissertação | pt_BR |
dc.place | Itajubá | pt_BR |
dc.pages | 107 p. | pt_BR |
dc.keywords.portuguese | Eletrodo óxido condutor | pt_BR |
dc.keywords.portuguese | Óxido de estanho | pt_BR |
dc.keywords.portuguese | Dopagem com doadores de elétrons | pt_BR |
dc.keywords.portuguese | dopagem com receptores de elétrons | pt_BR |
dc.keywords.english | Electrode conductive oxide | pt_BR |
dc.keywords.english | Tin oxide | pt_BR |
dc.keywords.english | Doping with donor acceptors | pt_BR |
dc.keywords.english | doping with electron acceptors | pt_BR |
dc.orientador.principal | MOURA FILHO, Francisco | - |
dc.place.presentation | Universidade Federal de Itajubá | pt_BR |
dc.pg.programa | Multicêntrico em Química de Minas Gerais | pt_BR |
dc.pg.area | Química | pt_BR |
dc.pg.linha | Materiais | pt_BR |
dc.date.available | 2017-04-05T17:49:18Z | - |
dc.date.accessioned | 2017-04-05T17:49:18Z | - |
dc.publisher.department | IFQ - Instituto de Física e Química | - |
dc.publisher.program | Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Multicêntrico em Química de Minas Gerais | - |
Aparece nas coleções: | Dissertações |
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Arquivo | Descrição | Tamanho | Formato | |
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