Use este identificador para citar ou linkar para este item:
https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/1118
Registro completo de metadados
Campo DC | Valor | Idioma |
---|---|---|
dc.creator | CABRAL, David Sebastião | - |
dc.date.issued | 2012-06-29 | - |
dc.identifier.citation | CABRAL, David Sebastião. Proposta de implementação de dispositivo especializado em tecnologia CMOS padrão para aplicações com alto desempenho. 2012. 78 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) – Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2012 | pt_BR |
dc.identifier.uri | https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/1118 | - |
dc.description.abstract | Este trabalho tem como objetivo o estudo, construção e levantamento de parâmetros de estruturas de barreira Schottky para aplicações em alta frequência e alto desempenho. Para isso, foi feito um estudo aprofundado da TSMC padrão 0,5μ, e algumas alterações no processo e máscaras. Os dispositivos construídos neste trabalho foram de estruturas de barreira Schottky (ou SBD) no arranjo de dedos, com: 5, 9 e 17 dedos. Esta dissertação também tem como objetivo verificar o comportamento estático e dinâmico dos dispositivos para isso, foram extraídos os parâmetros das curvas IxV e de transitório. De posse desses resultados as estruturas desenvolvidas foram comparadas com estruturas de retificação já existentes, a fim de, verificar-se a eficiência de conversão de potência (PCE). Com o resultado deste parâmetro é possível se avaliar o quão eficiente é o circuito de retificação. Foi realizado um modelo elétrico de pequenos sinais para os dispositivos fabricados a fim de se verificar quais os parâmetros podem ser otimizados para melhorar o dispositivo em futuros processos de fabricação | pt_BR |
dc.language.iso | pt_BR | pt_BR |
dc.title | Proposta de implementação de dispositivo especializado em tecnologia CMOS padrão para aplicações com alto desempenho. | pt_BR |
dc.type | Dissertação | pt_BR |
dc.place | Itajubá | pt_BR |
dc.pages | 78 p. | pt_BR |
dc.keywords.portuguese | Diodo schottky | pt_BR |
dc.keywords.portuguese | Diodo em tecnologia CMOS | pt_BR |
dc.keywords.portuguese | Barreira schottky | pt_BR |
dc.keywords.english | Schottky diode | pt_BR |
dc.keywords.english | Diode in CMOS technology | pt_BR |
dc.keywords.english | Barrier Schottky | pt_BR |
dc.orientador.principal | CREPALDI, Paulo Cesar | - |
dc.orientador.coorientador | ZOCCAL, Leonardo Breseghello | - |
dc.place.presentation | Universidade Federal de Itajubá | pt_BR |
dc.pg.programa | Engenharia Elétrica | pt_BR |
dc.pg.area | Microeletrônica | pt_BR |
dc.date.available | 2018-03-06T20:48:05Z | - |
dc.date.accessioned | 2018-03-06T20:48:05Z | - |
dc.publisher.department | IESTI - Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informação | - |
dc.publisher.program | Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia Elétrica | - |
Aparece nas coleções: | Dissertações |
Arquivos associados a este item:
Arquivo | Descrição | Tamanho | Formato | |
---|---|---|---|---|
dissertacao_cabral_2012.pdf | 1,72 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
Os itens no repositório estão protegidos por copyright, com todos os direitos reservados, salvo quando é indicado o contrário.