Repositório UNIFEI UNIFEI - Campus 1: Itajubá PPG - Programas de Pós Graduação Teses
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dc.creatorOLIVEIRA, Adhimar Flávio-
dc.creatorOLIVEIRA, Adhimar Flávio-
dc.date.issued2015-10-27-
dc.identifier.citationOLIVEIRA, Adhimar Flávio. Transporte eletrônico em amostras de InAs/GaAs e mecanismos de espalhamento. Uma nova abordagem de ajustes pelo método de otimização global. 2015. 108 f. Tese (Doutorado em Materiais para Engenharia) – Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2015.pt_BR
dc.identifier.urihttps://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/144-
dc.description.abstractNeste trabalho foi realizada a caracterização elétrica de um conjunto de seis amostras semicondutoras de InAs/GaAs, crescidas pela técnica de epitaxia de feixe molecular (MBE). O crescimento de amostras por MBE, com materiais de diferentes parâmetros de rede, pode induzir a formação de estruturas tais como discordâncias, defeitos pontuais e pontos quânticos. As medidas elétricas foram realizadas através do efeito Hall pela técnica de Van de Pauw, obtendo a mobilidade e a concentração de portadores em função da temperatura entre 10 K e 310 K. Os dados obtidos do experimento Hall foram submetidos a um processo de separação em dois canais de condução devido a presença de duas sub-bandas na heteroestrutura semicondutora. Este conjunto de dados foram analisados através do ajuste de um conjunto de mecanismos de espalhamento em duas dimensões utilizando o método de otimização global, chamado cross-entropy. Com isso, os principais mecanismos de espalhamento que limitam a mobilidade neste conjunto de amostras foram estimados de forma robusta juntamente com o conjunto de parâmetros físicos necessários para o ajuste. Como resultado foi possível verificar efeitos associados às tensões nas interfaces InAs/GaAs e seu relaxamento da camada ativa sobre os parâmetros de ajuste. Além disso, os ajustes também podem atuar como fonte de informação sobre as densidades de impurezas e estresse nas amostras. Assim, o Cross-entropy em conjunto com alterações nas características constitutivas podem ser utilizados para melhorar as características elétricas das amostras.pt_BR
dc.language.isopt_BRpt_BR
dc.titleTransporte eletrônico em amostras de InAs/GaAs e mecanismos de espalhamento. Uma nova abordagem de ajustes pelo método de otimização global.pt_BR
dc.typeTesept_BR
dc.placeItajubápt_BR
dc.pages108 p.pt_BR
dc.keywords.portugueseEstressept_BR
dc.keywords.portugueseOtimização globalpt_BR
dc.keywords.portugueseMulti-poços quânticospt_BR
dc.keywords.portugueseCaracterização elétricapt_BR
dc.keywords.englishStresspt_BR
dc.keywords.englishGlobal Optimizationpt_BR
dc.keywords.englishMulti-quantum wellpt_BR
dc.keywords.englishElectrical characterizationpt_BR
dc.orientador.principalRUBINGER, Rero Marques-
dc.place.presentationUniversidade Federal de Itajubápt_BR
dc.pg.programaMateriais para Engenhariapt_BR
dc.pg.areaNão-Metaispt_BR
dc.date.available2015-11-04T16:40:49Z-
dc.date.accessioned2015-11-04T16:40:49Z-
dc.publisher.departmentIFQ - Instituto de Física e Química-
dc.publisher.programPrograma de Pós-Graduação: Doutorado - Materiais para a Engenharia-
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