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https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/144
Registro completo de metadados
Campo DC | Valor | Idioma |
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dc.creator | OLIVEIRA, Adhimar Flávio | - |
dc.creator | OLIVEIRA, Adhimar Flávio | - |
dc.date.issued | 2015-10-27 | - |
dc.identifier.citation | OLIVEIRA, Adhimar Flávio. Transporte eletrônico em amostras de InAs/GaAs e mecanismos de espalhamento. Uma nova abordagem de ajustes pelo método de otimização global. 2015. 108 f. Tese (Doutorado em Materiais para Engenharia) – Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2015. | pt_BR |
dc.identifier.uri | https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/144 | - |
dc.description.abstract | Neste trabalho foi realizada a caracterização elétrica de um conjunto de seis amostras semicondutoras de InAs/GaAs, crescidas pela técnica de epitaxia de feixe molecular (MBE). O crescimento de amostras por MBE, com materiais de diferentes parâmetros de rede, pode induzir a formação de estruturas tais como discordâncias, defeitos pontuais e pontos quânticos. As medidas elétricas foram realizadas através do efeito Hall pela técnica de Van de Pauw, obtendo a mobilidade e a concentração de portadores em função da temperatura entre 10 K e 310 K. Os dados obtidos do experimento Hall foram submetidos a um processo de separação em dois canais de condução devido a presença de duas sub-bandas na heteroestrutura semicondutora. Este conjunto de dados foram analisados através do ajuste de um conjunto de mecanismos de espalhamento em duas dimensões utilizando o método de otimização global, chamado cross-entropy. Com isso, os principais mecanismos de espalhamento que limitam a mobilidade neste conjunto de amostras foram estimados de forma robusta juntamente com o conjunto de parâmetros físicos necessários para o ajuste. Como resultado foi possível verificar efeitos associados às tensões nas interfaces InAs/GaAs e seu relaxamento da camada ativa sobre os parâmetros de ajuste. Além disso, os ajustes também podem atuar como fonte de informação sobre as densidades de impurezas e estresse nas amostras. Assim, o Cross-entropy em conjunto com alterações nas características constitutivas podem ser utilizados para melhorar as características elétricas das amostras. | pt_BR |
dc.language.iso | pt_BR | pt_BR |
dc.title | Transporte eletrônico em amostras de InAs/GaAs e mecanismos de espalhamento. Uma nova abordagem de ajustes pelo método de otimização global. | pt_BR |
dc.type | Tese | pt_BR |
dc.place | Itajubá | pt_BR |
dc.pages | 108 p. | pt_BR |
dc.keywords.portuguese | Estresse | pt_BR |
dc.keywords.portuguese | Otimização global | pt_BR |
dc.keywords.portuguese | Multi-poços quânticos | pt_BR |
dc.keywords.portuguese | Caracterização elétrica | pt_BR |
dc.keywords.english | Stress | pt_BR |
dc.keywords.english | Global Optimization | pt_BR |
dc.keywords.english | Multi-quantum well | pt_BR |
dc.keywords.english | Electrical characterization | pt_BR |
dc.orientador.principal | RUBINGER, Rero Marques | - |
dc.place.presentation | Universidade Federal de Itajubá | pt_BR |
dc.pg.programa | Materiais para Engenharia | pt_BR |
dc.pg.area | Não-Metais | pt_BR |
dc.date.available | 2015-11-04T16:40:49Z | - |
dc.date.accessioned | 2015-11-04T16:40:49Z | - |
dc.publisher.department | IFQ - Instituto de Física e Química | - |
dc.publisher.program | Programa de Pós-Graduação: Doutorado - Materiais para a Engenharia | - |
Aparece nas coleções: | Teses |
Arquivos associados a este item:
Arquivo | Descrição | Tamanho | Formato | |
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tese_oliveira_2015.pdf | 45,7 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
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