Repositório UNIFEI UNIFEI - Campus 1: Itajubá PPG - Programas de Pós Graduação Teses
Use este identificador para citar ou linkar para este item: https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/2338
Registro completo de metadados
Campo DCValorIdioma
dc.creatorSILVA FRÉ, Gabriel Lobão da-
dc.date.issued2020-11-06-
dc.identifier.urihttps://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/2338-
dc.description.abstractThis work presents an alternative THz-modulator, using a low-loss slotted waveguide. The interaction between THz-signal and the optical carrier wave is performed along the modulator length, which is substantially greater than the conventional bi-dimension modulators. Two different structures were studied in order to obtain the modulator: a silicon based photo-excited waveguide, and a graphene based electrically controlled waveguide. The modulation depth is greater than 10 dB with a 200 GHz of bandwidth, enabling the device to telecommunication operations in THz frequencies. Moreover, this works results in an integrated silicon on insulator compatible design.pt_BR
dc.description.sponsorshipAgência 1pt_BR
dc.languageporpt_BR
dc.publisherUniversidade Federal de Itajubápt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.subjectOndas para THzpt_BR
dc.subjectEfeito eletro-ópticopt_BR
dc.subjectEfeito foto-condutivopt_BR
dc.titleModulador em guia de ondas de baixa perda para operações na faixa dos THzpt_BR
dc.typeTesept_BR
dc.date.available2021-03-16-
dc.date.available2021-03-16T13:24:27Z-
dc.date.accessioned2021-03-16T13:24:27Z-
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/2539115151670208pt_BR
dc.contributor.advisor1SPADOTI, Danilo Henrique-
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/9785887550619619pt_BR
dc.contributor.advisor-co2SAITO, Lúcia Akemi Miyazoto-
dc.description.resumoEste trabalho apresenta uma alternativa para moduladores que operam na faixa dos THz. Neste caso foi utilizado um guia de ondas de abertura de baixa perdas para obtenção da estrutura final. Como a interação entre o sinal modulante e a onda THz ocorre ao longo do comprimento da estrutura, o desempenho da estrutura se mostra substancialmente melhor que os moduladores convencionais baseados em materiais bidimensionais. Duas estruturas diferentes foram estudadas para obtenção do modulador: um guia de ondas baseado em silício com excitação por bombeio óptico e um guia de onda que utiliza grafeno e controlado eletricamente. A profundidade de modulação obtida foi maior que 10 dB com uma largura de banda de 200 GHz, tornando o dispositivo obtido adequado para operações em telecomunicações em THz. A estrutura resultante é compatível com projetos SoI (Silicon on Insulator )pt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.departmentIESTI - Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informaçãopt_BR
dc.publisher.programPrograma de Pós-Graduação: Doutorado - Engenharia Elétricapt_BR
dc.publisher.initialsUNIFEIpt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELÉTRICApt_BR
dc.relation.referencesSILVA FRÉ, Gabriel Lobão da. Modulador em guia de ondas de baixa perda para operações na faixa dos THz. 2020. 129 f. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) – Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2020.pt_BR
Aparece nas coleções:Teses

Arquivos associados a este item:
Arquivo Descrição TamanhoFormato 
Tese_2021016.pdf35,97 MBAdobe PDFVisualizar/Abrir


Os itens no repositório estão protegidos por copyright, com todos os direitos reservados, salvo quando é indicado o contrário.