Repositório UNIFEI UNIFEI - Campus 1: Itajubá PPG - Programas de Pós Graduação Dissertações
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dc.creatorGASPAR, Everaldo Simões-
dc.date.issued2005-06-01-
dc.identifier.urihttps://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/3234-
dc.description.abstractThis work presents a development of an equipment to test power semiconductors (diodes and thyristors). These semiconductors are extensively used in static compensators. It is introduced the theoretic foundations about those devices and required parameters to analyse the degradation in forward blocking (for thyristors) and reverse blocking (for diodes an thyristors). The test circuits development is also presented as well as the equipment´s control software. The set of hardware/software of this instrument allows the automatic execution of tests, acquisiting and recording the informations of each semiconductor tested. Based on the results of these tests, a degradative analysis methodology is proposed, categorizing the components in three possible states of operation: good, deficient or fail. The temperature influence in the blocking characteristics is also analyzed.pt_BR
dc.languageporpt_BR
dc.publisherUniversidade Federal de Itajubápt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.subjectSistemas elétricos de potênciapt_BR
dc.subjectSemicondutores de potênciapt_BR
dc.subjectAvaliação de equipamentospt_BR
dc.titleDesenvolvimento de equipamento para avaliação da degradação de semicondutores de potênciapt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
dc.date.available2022-04-01-
dc.date.available2022-04-01T11:53:56Z-
dc.date.accessioned2022-04-01T11:53:56Z-
dc.creator.Latteshttp://lattes.cnpq.br/7200526505335982pt_BR
dc.contributor.advisor1SILVA, Luiz Eduardo Borges da-
dc.contributor.advisor1Latteshttp://lattes.cnpq.br/8514450520201861pt_BR
dc.contributor.advisor-co1SILVA, Valberto Ferreira da-
dc.contributor.advisor-co1Latteshttp://lattes.cnpq.br/6254328944222311pt_BR
dc.description.resumoEste trabalho apresenta o desenvolvimento de um equipamento testador de semicondutores de potência, dos tipos diodos e tiristores. Estes semicondutores são utilizados extensivamente em compensadores estáticos de reativos. São apresentados os fundamentos teóricos sobre estes dispositivos e os parâmetros necessários para a análise de degradação relativas as características de bloqueio direto (para tiristores) e reverso (para diodos e tiristores). O desenvolvimento dos circuitos de teste são também demonstrados, assim como o software de controle do equipamento. O conjunto hardware/software deste instrumento permite a execução automática dos testes, aquisitando e arquivando dados resultantes de cada ensaio destes semicondutores. Com base nos resultados destes testes, uma metodologia de análise de degradação é proposta, classificando os componentes como em três estados de operação possíveis: bom, defeituoso ou falho. A influência da temperatura nas características de bloqueio é também analisada.pt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.departmentIESTI - Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informaçãopt_BR
dc.publisher.programPrograma de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia Elétricapt_BR
dc.publisher.initialsUNIFEIpt_BR
dc.subject.cnpqCNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELÉTRICA::SISTEMAS ELÉTRICOS DE POTÊNCIApt_BR
dc.relation.referencesGASPAR, Everaldo Simões. Desenvolvimento de equipamento para avaliação da degradação de semicondutores de potência. 2005. 165 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) – Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2005.pt_BR
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