UNIFEI - Campus 1: Itajubá PPG - Programas de Pós Graduação Dissertações
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Tipo: Dissertação
Título: Uma referência de tensão CMOS integrada utilizando transistor composto cascode e diodo Schottky
Autor(es): BRITO, Thaironi Menezes de
Primeiro Orientador: MORENO, Robson Luiz
metadata.dc.contributor.advisor-co1: COLOMBO, Dalton Martini
Resumo: Este trabalho apresenta o estudo da performance em temperatura de self-cascode composite transistors (SCCTs) e do diodo Schottky com o objetivo de gerar as tensões PTAT e CTAT, respectivamente, que compõem uma referência de tensão compensada na temperatura. O estudo dos SCCTs também mostrou ser possível obter uma tensão compensada apenas ajustando a dimensão e o ponto de operação dos transistores que formam o SCCT. A referência foi projetada baseada nestes resultados e fabricada em um processo CMOS 130 nm. O circuito ocupa uma área de 67,98 μm x 161,7 μm. Para validação do projeto, o circuito foi medido com a variação de temperatura e tensão de alimentação. Um circuito de ajuste também foi projetado para ajustar o coeficiente de temperatura da referência (TC). A tensão de saída média obtida foi de 720 mV em um VDD de 1,1 V. O TC médio obtido foi 56 ppm/ºC em uma faixa de temperatura de -40 a 85 ºC. O circuito opera em uma faixa e tensão de alimentação de 1,1 a 2,5 V. O consumo do circuito é de 750 nW.
Abstract: This work shows a study of temperature behavior of self-cascode composite transistors (SCCTs) and Schottky diode in order to generate both PTAT and CTAT voltages of a temperature-compensated voltage reference. The SCCTs study also shows that it is possible to obtain a compensated voltage with a proper sizing and biasing of the SCCT. The voltage reference was designed based on achieved results and it was fabricated in a 130 nm CMOS process. The circuit occupies an area of 67.98 μm x 161.7 μm and it was measured in temperature and power-supply variation. A trimming circuit also is added to the reference in order to adjust the temperature coefficient (TC). The averaged output voltage is 720 mV with a VDD of 1.1 V. The averaged TC is 56 ppm/ºC in a temperature range of -40 to 85 ºC. The circuit works in a power-supply range of 1.1 to 2.5 V and its power consumption is 750 nW.
Palavras-chave: Referência de tensão
Diodo Schottky
Self-cascode composite transistor
Baixo consumo
CNPq: CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELÉTRICA::INSTRUMENTAÇÃO ELETRÔNICA::MICROELETRÔNICA
Idioma: por
País: Brasil
Editor: Universidade Federal de Itajubá
Sigla da Instituição: UNIFEI
metadata.dc.publisher.department: Departamento 1
metadata.dc.publisher.program: Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
Tipo de Acesso: Acesso Aberto
URI: https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/2222
Data do documento: 27-Ago-2020
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