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https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/2758| Tipo: | Dissertação |
| Título: | Modelagem de transistores de efeito de campo MOS de fortalecimento – Um estado da arte |
| Autor(es): | CREPALDI, Paulo César |
| Primeiro Orientador: | CALDEIRA, Laércio |
| metadata.dc.contributor.advisor-co1: | WAKI, Paulo Sizuo |
| Palavras-chave: | Modelagem de transistores Campo MOS de enriquecimento Modelagem de Mosfets |
| CNPq: | CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELÉTRICA |
| Idioma: | por |
| País: | Brasil |
| Editor: | Universidade Federal de Itajubá |
| Sigla da Instituição: | UNIFEI |
| metadata.dc.publisher.department: | IEPG - Instituto de Engenharia de Produção e Gestão |
| metadata.dc.publisher.program: | Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia Elétrica |
| Tipo de Acesso: | Acesso Aberto |
| URI: | https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/2758 |
| Data do documento: | 20-Out-1992 |
| Aparece nas coleções: | Dissertações |
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| Arquivo | Descrição | Tamanho | Formato | |
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| Dissertação_19928200686.pdf | 50,21 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
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