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https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/2758
Tipo: | Dissertação |
Título: | Modelagem de transistores de efeito de campo MOS de fortalecimento – Um estado da arte |
Autor(es): | CREPALDI, Paulo César |
Primeiro Orientador: | CALDEIRA, Laércio |
metadata.dc.contributor.advisor-co1: | WAKI, Paulo Sizuo |
Palavras-chave: | Modelagem de transistores Campo MOS de enriquecimento Modelagem de Mosfets |
CNPq: | CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELÉTRICA |
Idioma: | por |
País: | Brasil |
Editor: | Universidade Federal de Itajubá |
Sigla da Instituição: | UNIFEI |
metadata.dc.publisher.department: | IEPG - Instituto de Engenharia de Produção e Gestão |
metadata.dc.publisher.program: | Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia Elétrica |
Tipo de Acesso: | Acesso Aberto |
URI: | https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/2758 |
Data do documento: | 20-Out-1992 |
Aparece nas coleções: | Dissertações |
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Arquivo | Descrição | Tamanho | Formato | |
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