Repositório UNIFEI UNIFEI - Campus 1: Itajubá PPG - Programas de Pós Graduação Dissertações
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Tipo: Dissertação
Título: Desenvolvimento de um amplificador CMOS totalmente integrado para operar em 1.8Ghz
Autor(es): VILASBOAS, Felipe Ribeiro Campos
Primeiro Orientador: PIMENTA, Tales Cleber
Resumo: Esse trabalho descreve o projeto de um amplificador de baixo ruído (LNA) que foi implementado em tecnologia CMOS de 0,35µm. O circuito irá operar na faixa de freqüência de 1805 MHz a 1820 MHz, correspondente a Banda D de telefonia celular no Brasil. O LNA é totalmente integrado, inclusive os indutores que foram implementados usando uma das camadas de metal oferecidas pelo processo. Foi utilizada uma arquitetura de dois estágios para prover ganho suficiente e prover um ótimo isolamento entre a entrada e a saída.
Abstract: One of the most relevant parts of a receiver is the Low Noise Amplifier – LNA. This work describes the design of a fully integrated LNA implemented in 0.35µm CMOS. The circuit should be capable of operating at 1805MHz-1820MHz band, which corresponds to the D Band of mobile communications in Brazil. The design was fully integrated, including the inductors. It was used the two stage architecture in order to achieve enough gain and provide good isolation between input and output.
Palavras-chave: Sistemas de comunicação móvel
Comunicação e GSM
Linearidade
Ruído
CNPq: CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELÉTRICA
Idioma: por
País: Brasil
Editor: Universidade Federal de Itajubá
Sigla da Instituição: UNIFEI
metadata.dc.publisher.department: IESTI - Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informação
metadata.dc.publisher.program: Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia Elétrica
Tipo de Acesso: Acesso Aberto
URI: https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/3482
Data do documento: 17-Dez-2004
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