Resumo:
Este trabalho apresenta o desenvolvimento de um circuito low-voltage e low-power para
aplicações em microeletrônica como sensor de temperatura, com o objetivo de atuar na proteção térmica de transistores de potência tipicamente aplicados em produtos voltados para o ambiente industrial, no chaveamento de cargas.
A topologia proposta por este estudo para o transistor MOS em inversão fraca, tem como
grande característica a linearidade da tensão VDS com a variação da temperatura (PTAT), sendo este o ponto explorado neste trabalho.
A alimentação do circuito deve ser realizada através de uma fonte de alimentação externa ajustada para 1 [V]. Através do arranjo dos transistores, um nível de tensão, em [mV], varia linearmente com a alteração da temperatura. Quando acontece um aquecimento excessivo, acima do ponto ajustado no circuito, um mecanismo de proteção pode desligar a operação do circuito, ou pelo menos sinalizar para uma operação específica.
O circuito apresenta operação linear entre a faixa de -20 a +120 [ºC], e pode ser ajustado
para detectar qualquer temperatura neste intervalo. O circuito proposto foi desenvolvido para baixa tensão e baixa potência de operação, em tecnologia TSMC 0.35um.