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Proposta de implementação de dispositivo especializado em tecnologia CMOS padrão para aplicações com alto desempenho.

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dc.contributor.author CABRAL, David Sebastião
dc.date.issued 2012
dc.identifier.citation CABRAL, David Sebastião. Proposta de implementação de dispositivo especializado em tecnologia CMOS padrão para aplicações com alto desempenho. 2012. 78 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) – Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2012 pt_BR
dc.identifier.uri https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/1118
dc.description.abstract Este trabalho tem como objetivo o estudo, construção e levantamento de parâmetros de estruturas de barreira Schottky para aplicações em alta frequência e alto desempenho. Para isso, foi feito um estudo aprofundado da TSMC padrão 0,5μ, e algumas alterações no processo e máscaras. Os dispositivos construídos neste trabalho foram de estruturas de barreira Schottky (ou SBD) no arranjo de dedos, com: 5, 9 e 17 dedos. Esta dissertação também tem como objetivo verificar o comportamento estático e dinâmico dos dispositivos para isso, foram extraídos os parâmetros das curvas IxV e de transitório. De posse desses resultados as estruturas desenvolvidas foram comparadas com estruturas de retificação já existentes, a fim de, verificar-se a eficiência de conversão de potência (PCE). Com o resultado deste parâmetro é possível se avaliar o quão eficiente é o circuito de retificação. Foi realizado um modelo elétrico de pequenos sinais para os dispositivos fabricados a fim de se verificar quais os parâmetros podem ser otimizados para melhorar o dispositivo em futuros processos de fabricação pt_BR
dc.language.iso pt_BR pt_BR
dc.title Proposta de implementação de dispositivo especializado em tecnologia CMOS padrão para aplicações com alto desempenho. pt_BR
dc.type Dissertação pt_BR
dc.place Itajubá pt_BR
dc.pages 78 p. pt_BR
dc.keywords.portuguese Diodo schottky pt_BR
dc.keywords.portuguese Diodo em tecnologia CMOS pt_BR
dc.keywords.portuguese Barreira schottky pt_BR
dc.keywords.english Schottky diode pt_BR
dc.keywords.english Diode in CMOS technology pt_BR
dc.keywords.english Barrier Schottky pt_BR
dc.orientador.principal CREPALDI, Paulo Cesar
dc.orientador.coorientador ZOCCAL, Leonardo Breseghello
dc.place.presentation Universidade Federal de Itajubá pt_BR
dc.pg.programa Engenharia Elétrica pt_BR
dc.pg.area Microeletrônica pt_BR
dc.date.available 2018-03-06T20:48:05Z
dc.date.accessioned 2018-03-06T20:48:05Z


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