Proposta de implementação de dispositivo especializado em tecnologia CMOS padrão para aplicações com alto desempenho.

Abstract

Este trabalho tem como objetivo o estudo, construção e levantamento de parâmetros de estruturas de barreira Schottky para aplicações em alta frequência e alto desempenho. Para isso, foi feito um estudo aprofundado da TSMC padrão 0,5μ, e algumas alterações no processo e máscaras. Os dispositivos construídos neste trabalho foram de estruturas de barreira Schottky (ou SBD) no arranjo de dedos, com: 5, 9 e 17 dedos. Esta dissertação também tem como objetivo verificar o comportamento estático e dinâmico dos dispositivos para isso, foram extraídos os parâmetros das curvas IxV e de transitório. De posse desses resultados as estruturas desenvolvidas foram comparadas com estruturas de retificação já existentes, a fim de, verificar-se a eficiência de conversão de potência (PCE). Com o resultado deste parâmetro é possível se avaliar o quão eficiente é o circuito de retificação. Foi realizado um modelo elétrico de pequenos sinais para os dispositivos fabricados a fim de se verificar quais os parâmetros podem ser otimizados para melhorar o dispositivo em futuros processos de fabricação