dc.creator |
CABRAL, David Sebastião |
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dc.date.issued |
2012-06-29 |
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dc.identifier.citation |
CABRAL, David Sebastião. Proposta de implementação de dispositivo especializado em tecnologia CMOS padrão para aplicações com alto desempenho. 2012. 78 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) – Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2012 |
pt_BR |
dc.identifier.uri |
https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/1118 |
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dc.description.abstract |
Este trabalho tem como objetivo o estudo, construção e levantamento de parâmetros de estruturas de barreira Schottky para aplicações em alta frequência e alto desempenho. Para isso, foi feito um estudo aprofundado da TSMC padrão 0,5μ, e algumas alterações no processo e máscaras. Os dispositivos construídos neste trabalho foram de estruturas de barreira Schottky (ou SBD) no arranjo de dedos, com: 5, 9 e 17 dedos. Esta dissertação também tem como objetivo verificar o comportamento estático e dinâmico dos dispositivos para isso, foram extraídos os parâmetros das curvas IxV e de transitório. De posse desses resultados as estruturas desenvolvidas foram comparadas com estruturas de retificação já existentes, a fim de, verificar-se a eficiência de conversão de potência (PCE). Com o resultado deste parâmetro é possível se avaliar o quão eficiente é o circuito de retificação. Foi realizado um modelo elétrico de pequenos sinais para os dispositivos fabricados a fim de se verificar quais os parâmetros podem ser otimizados para melhorar o dispositivo em futuros processos de fabricação |
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dc.language.iso |
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pt_BR |
dc.title |
Proposta de implementação de dispositivo especializado em tecnologia CMOS padrão para aplicações com alto desempenho. |
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dc.type |
Dissertação |
pt_BR |
dc.place |
Itajubá |
pt_BR |
dc.pages |
78 p. |
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dc.keywords.portuguese |
Diodo schottky |
pt_BR |
dc.keywords.portuguese |
Diodo em tecnologia CMOS |
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dc.keywords.portuguese |
Barreira schottky |
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dc.keywords.english |
Schottky diode |
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dc.keywords.english |
Diode in CMOS technology |
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dc.keywords.english |
Barrier Schottky |
pt_BR |
dc.orientador.principal |
CREPALDI, Paulo Cesar |
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dc.orientador.coorientador |
ZOCCAL, Leonardo Breseghello |
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dc.place.presentation |
Universidade Federal de Itajubá |
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dc.pg.programa |
Engenharia Elétrica |
pt_BR |
dc.pg.area |
Microeletrônica |
pt_BR |
dc.date.available |
2018-03-06T20:48:05Z |
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dc.date.accessioned |
2018-03-06T20:48:05Z |
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dc.publisher.department |
IESTI - Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informação |
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dc.publisher.program |
Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia Elétrica |
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