Resumo:
Neste projeto, um criostato de nitrogênio líquido foi desenvolvido com objetivo de caracterizar amostras semi-isolantes de GaAs. As medições em altas temperaturas foram realizadas usando um forno que atinge até a temperatura de 1100ºC. As amostras foram recozidas em diferentes temperaturas (Ta): 350°C, 400°C, 450°C, 500°C e 550°C. Uma amostra com temperatura de crescimento (Tg) de 215ºC não sofreu recozimento. E através das curvas de resistividade é possível obter parâmetros importantes que descrevem os mecanismos de condução (condução por bandas, nearest neighbor hopping e variable range hopping) presentes nessas amostras e verifica-se como o
processo de recozimento altera tais parâmetros. Além disso, medidas realizadas em um criostato de circuito fechado de He foram comparadas com as medidas obtidas com ocriostato desenvolvido neste projeto.
