dc.creator |
OLIVEIRA, Adhimar Flávio |
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dc.date.issued |
2015-10-27 |
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dc.identifier.citation |
OLIVEIRA, Adhimar Flávio. Transporte eletrônico em amostras de InAs/GaAs e mecanismos de espalhamento. Uma nova abordagem de ajustes pelo método de otimização global. 2015. 108 f. Tese (Doutorado em Materiais para Engenharia) – Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2015. |
pt_BR |
dc.identifier.uri |
https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/144 |
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dc.description.abstract |
Neste trabalho foi realizada a caracterização elétrica de um conjunto de seis amostras
semicondutoras de InAs/GaAs, crescidas pela técnica de epitaxia de feixe molecular
(MBE). O crescimento de amostras por MBE, com materiais de diferentes parâmetros de rede, pode induzir a formação de estruturas tais como discordâncias, defeitos pontuais e pontos quânticos. As medidas elétricas foram realizadas através do efeito Hall pela técnica de Van de Pauw, obtendo a mobilidade e a concentração de portadores em função da temperatura entre 10 K e 310 K. Os dados obtidos do experimento Hall foram submetidos a um processo de separação em dois canais de condução devido a presença de duas sub-bandas na heteroestrutura semicondutora. Este conjunto de dados foram analisados através do ajuste de um conjunto de mecanismos de espalhamento em duas dimensões utilizando o método de otimização global, chamado cross-entropy. Com isso, os principais mecanismos de espalhamento que limitam a mobilidade neste conjunto de amostras foram estimados de forma robusta juntamente com o conjunto de parâmetros físicos necessários para o ajuste. Como resultado foi possível verificar efeitos associados às tensões nas interfaces InAs/GaAs e seu relaxamento da camada ativa sobre os parâmetros de ajuste. Além disso, os ajustes também podem atuar como fonte de informação sobre as densidades de impurezas e estresse nas amostras. Assim, o Cross-entropy em conjunto com alterações nas características constitutivas podem ser utilizados para melhorar as características elétricas das amostras. |
pt_BR |
dc.language.iso |
pt_BR |
pt_BR |
dc.title |
Transporte eletrônico em amostras de InAs/GaAs e mecanismos de espalhamento. Uma nova abordagem de ajustes pelo método de otimização global. |
pt_BR |
dc.type |
Tese |
pt_BR |
dc.place |
Itajubá |
pt_BR |
dc.pages |
108 p. |
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dc.keywords.portuguese |
Estresse |
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dc.keywords.portuguese |
Otimização global |
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dc.keywords.portuguese |
Multi-poços quânticos |
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dc.keywords.portuguese |
Caracterização elétrica |
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dc.keywords.english |
Stress |
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dc.keywords.english |
Global Optimization |
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dc.keywords.english |
Multi-quantum well |
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dc.keywords.english |
Electrical characterization |
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dc.orientador.principal |
RUBINGER, Rero Marques |
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dc.place.presentation |
Universidade Federal de Itajubá |
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dc.pg.programa |
Materiais para Engenharia |
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dc.pg.area |
Não-Metais |
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dc.date.available |
2015-11-04T16:40:49Z |
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dc.date.accessioned |
2015-11-04T16:40:49Z |
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dc.publisher.department |
IFQ - Instituto de Física e Química |
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dc.publisher.program |
Programa de Pós-Graduação: Doutorado - Materiais para Engenharia |
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