Uma referência de tensão CMOS integrada utilizando transistor composto cascode e diodo Schottky

BRITO, Thaironi Menezes de

dc.creator	BRITO, Thaironi Menezes de
dc.date.issued	2020-08-27
dc.identifier.uri	https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/2222
dc.description.abstract	This work shows a study of temperature behavior of self-cascode composite transistors (SCCTs) and Schottky diode in order to generate both PTAT and CTAT voltages of a temperature-compensated voltage reference. The SCCTs study also shows that it is possible to obtain a compensated voltage with a proper sizing and biasing of the SCCT. The voltage reference was designed based on achieved results and it was fabricated in a 130 nm CMOS process. The circuit occupies an area of 67.98 μm x 161.7 μm and it was measured in temperature and power-supply variation. A trimming circuit also is added to the reference in order to adjust the temperature coefficient (TC). The averaged output voltage is 720 mV with a VDD of 1.1 V. The averaged TC is 56 ppm/ºC in a temperature range of -40 to 85 ºC. The circuit works in a power-supply range of 1.1 to 2.5 V and its power consumption is 750 nW.	pt_BR
dc.description.sponsorship	Agência 1	pt_BR
dc.language	por	pt_BR
dc.publisher	Universidade Federal de Itajubá	pt_BR
dc.rights	Acesso Aberto	pt_BR
dc.subject	Referência de tensão	pt_BR
dc.subject	Diodo Schottky	pt_BR
dc.subject	Self-cascode composite transistor	pt_BR
dc.subject	Baixo consumo	pt_BR
dc.title	Uma referência de tensão CMOS integrada utilizando transistor composto cascode e diodo Schottky	pt_BR
dc.type	Dissertação	pt_BR
dc.date.available	2020-11-20
dc.date.available	2020-11-20T13:26:21Z
dc.date.accessioned	2020-11-20T13:26:21Z
dc.creator.Lattes	http://lattes.cnpq.br/1437403658084755	pt_BR
dc.contributor.advisor1	MORENO, Robson Luiz
dc.contributor.advisor1Lattes	http://lattes.cnpq.br/6281644588548940	pt_BR
dc.contributor.advisor-co1	COLOMBO, Dalton Martini
dc.contributor.advisor-co1Lattes	http://lattes.cnpq.br/0909961438322138	pt_BR
dc.description.resumo	Este trabalho apresenta o estudo da performance em temperatura de self-cascode composite transistors (SCCTs) e do diodo Schottky com o objetivo de gerar as tensões PTAT e CTAT, respectivamente, que compõem uma referência de tensão compensada na temperatura. O estudo dos SCCTs também mostrou ser possível obter uma tensão compensada apenas ajustando a dimensão e o ponto de operação dos transistores que formam o SCCT. A referência foi projetada baseada nestes resultados e fabricada em um processo CMOS 130 nm. O circuito ocupa uma área de 67,98 μm x 161,7 μm. Para validação do projeto, o circuito foi medido com a variação de temperatura e tensão de alimentação. Um circuito de ajuste também foi projetado para ajustar o coeficiente de temperatura da referência (TC). A tensão de saída média obtida foi de 720 mV em um VDD de 1,1 V. O TC médio obtido foi 56 ppm/ºC em uma faixa de temperatura de -40 a 85 ºC. O circuito opera em uma faixa e tensão de alimentação de 1,1 a 2,5 V. O consumo do circuito é de 750 nW.	pt_BR
dc.publisher.country	Brasil	pt_BR
dc.publisher.department	IESTI - Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informação	pt_BR
dc.publisher.program	Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia Elétrica	pt_BR
dc.publisher.initials	UNIFEI	pt_BR
dc.subject.cnpq	CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELÉTRICA::INSTRUMENTAÇÃO ELETRÔNICA::MICROELETRÔNICA	pt_BR
dc.relation.references	BRITO, Thaironi Menezes de. Uma referência de tensão CMOS integrada utilizando transistor composto cascode e diodo Schottky. 2020. 60 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) – Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2020.	pt_BR