dc.creator |
SOUZA, Leandro Rodrigues de |
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dc.date.issued |
2005-10-06 |
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dc.identifier.uri |
https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/3220 |
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dc.description.abstract |
Self-assembled quantum dots are in the center of interest of both fundamental
and applied research. In this work, van der Pauw resistivity, Hall effect and I(V)
measurements are applied to obtain the mobility on a series of Molecular Beam
Epitaxy InAs/GaAs superlattices samples containing InAs quantum dots, grown in
the Stranski-Krastanov mode. Three growth parameter were varied: the InAs
coverage, the number of repetitions of the InAs/GaAs layers and the GaAs spacer
thickness. The measurements were done in a 5K to 310K temperature range. The
results presenting samples with low resistivity and the mobility dependence on the
temperature were adjusted in order to evaluate the applicability of the known
scattering models. Due to quantum confinement at the GaAs/InAs interface, all
scattering mechanisms were considered for a two-dimensional electron gas. The
evaluated scattering mechanisms were deformation potential scattering, piezoelectric
scattering for acoustic phonons, polar optical scattering for optical phonons and
ionized impurity scattering. The scattering by ionized impurities revealed dominant
at the low temperatures and the polar optical scattering at high temperatures. The
model of scattering by ionized impurities gives information about the impurities
concentrations. The analysis of the carrier concentration evidenced that properties
like form, size, density and symmetry of quantum dots influence more the electrical
properties at the low temperatures, below 30K. The I(V) characterization presents
nonlinear electrical behaviors at the high electrical fields intensities and under
infrared radiation. |
pt_BR |
dc.language |
por |
pt_BR |
dc.publisher |
Universidade Federal de Itajubá |
pt_BR |
dc.rights |
Acesso Aberto |
pt_BR |
dc.subject |
InAs/GaAs |
pt_BR |
dc.subject |
Superredes |
pt_BR |
dc.subject |
Efeito Hall |
pt_BR |
dc.subject |
Espalhamento |
pt_BR |
dc.title |
Fenômenos de transporte em superredes de InAs/GaAs contendo pontos quânticos |
pt_BR |
dc.type |
Dissertação |
pt_BR |
dc.date.available |
2022-03-29 |
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dc.date.available |
2022-03-29T19:02:57Z |
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dc.date.accessioned |
2022-03-29T19:02:57Z |
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dc.creator.Lattes |
http://lattes.cnpq.br/8000189300730841 |
pt_BR |
dc.contributor.advisor1 |
SOARES, Demétrio Artur Werner |
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dc.contributor.advisor1Lattes |
http://lattes.cnpq.br/6463750480585203 |
pt_BR |
dc.contributor.advisor-co1 |
RUBINGER, Rero Marques |
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dc.contributor.advisor-co1Lattes |
http://lattes.cnpq.br/1123598835707364 |
pt_BR |
dc.description.resumo |
Os pontos quânticos autogerados têm despertado muito interesse em
pesquisas básicas e aplicadas. Neste trabalho, medidas de resistividade pelo método
de van der Pauw e de efeito Hall são realizadas para obter a mobilidade de uma série
de amostras de superredes de InAs/GaAs crescidas por Epitaxia de Feixes
Moleculares no modo Stranski-Kastranov e contendo pontos quânticos de InAs.
Efetuamos também medidas I(V) com alimentação DC. Três parâmetros de
crescimento foram variados: a cobertura de InAs, o número de repetições das
multicamadas de InAs/GaAs e a espessura do espaçador de GaAs. As medidas foram
realizadas em uma faixa de temperatura de 5 a 310 K. Os resultados indicam
amostras com baixa resistividade e dependência da mobilidade em relação à
temperatura, que foi ajustada de forma a avaliar a aplicabilidade dos modelos de
espalhamentos conhecidos. Devido ao confinamento quântico na interface entre InAs
e GaAs, todos os mecanismos de espalhamento utilizados consideraram um gás
bidimensional de elétrons. Os mecanismos de espalhamento considerados foram:
espalhamento por deformação de potencial e piezelétrico, por fônons acústicos, por
fônons ópticos polares e espalhamento por impurezas ionizadas. O espalhamento por
impurezas ionizadas revela-se dominante às baixas temperaturas e o espalhamento
por fônons ópticos polares, às altas temperaturas. O modelo de espalhamento por
impurezas ionizadas fornece uma estimativa da concentração de impurezas. A análise
da concentração de portadores evidenciou que propriedades como forma, tamanho,
peso específico e simetria dos pontos quânticos têm maior influência nas
propriedades elétricas às baixas temperaturas, abaixo de 30 K. A caracterização I(V)
evidenciou comportamentos elétricos não lineares para altas intensidades de campo
elétrico aplicado e sob excitação de radiação infravermelha. |
pt_BR |
dc.publisher.country |
Brasil |
pt_BR |
dc.publisher.department |
IEM - Instituto de Engenharia Mecânica |
pt_BR |
dc.publisher.program |
Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Materiais para Engenharia |
pt_BR |
dc.publisher.initials |
UNIFEI |
pt_BR |
dc.subject.cnpq |
CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA DE MATERIAIS E METALÚRGICA |
pt_BR |
dc.relation.references |
SOUZA, Leandro Rodrigues de. Fenômenos de transporte em superredes de InAs/GaAs contendo pontos quânticos. 2005. 104 f. Dissertação (Mestrado em Materiais para Engenharia) - Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2005. |
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