Oscilações de Shubnikov-de Haas em nanoestruturas baseadas em semicondutores de gap estreito

COSTA, Isabela Franco

dc.creator	COSTA, Isabela Franco
dc.date.issued	2022-04-05
dc.identifier.uri	https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/3282
dc.description.abstract	Não consta	pt_BR
dc.language	por	pt_BR
dc.publisher	Universidade Federal de Itajubá	pt_BR
dc.rights	Acesso Aberto	pt_BR
dc.subject	Oscilações Shubnikov-de Haas	pt_BR
dc.subject	Efeito Rashba	pt_BR
dc.subject	Poços quânticos de PbTe	pt_BR
dc.subject	Heteroestrutura baseada em SnTe	pt_BR
dc.subject	Isolante topológico cristalino	pt_BR
dc.subject	Transporte por multivales	pt_BR
dc.title	Oscilações de Shubnikov-de Haas em nanoestruturas baseadas em semicondutores de gap estreito	pt_BR
dc.type	Dissertação	pt_BR
dc.date.available	2022-04-25
dc.date.available	2022-04-25T11:35:05Z
dc.date.accessioned	2022-04-25T11:35:05Z
dc.creator.Lattes	http://lattes.cnpq.br/5946842583369390	pt_BR
dc.contributor.advisor1	PERES, Marcelos Lima
dc.contributor.advisor1Lattes	http://lattes.cnpq.br/0335350966509134	pt_BR
dc.description.resumo	Neste trabalho foram investigadas propriedades de magneto transporte em estruturas de poço quântico de PbTe, dopado com BaF2, e uma heteroestrutura de SnTe/Sn(1-x)EuxTe. Ambas as estruturas foram crescidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE) pelo Laboratório Associado de Sensores e Materiais do Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais – LAS/INPE na cidade de São José dos Campos (SP), a fim de desenvolver semicondutores com alta cristalinidade. Essas estruturas são do tipo-p e com espessuras dadas por 10 nm do poço e 5 µm do filme. As medidas realizadas consideraram duas condições de iluminação, com luz infravermelha (IR) (940 nm de comprimento de onda) e escuro, para temperaturas variando de 300 K até 1,9 K e com campo magnético aplicado de até 9 T perpendicular à superfície. Nas discussões das curvas de magnetorresistência foram analisadas as componentes oscilatórias do efeito Shubnikov-de Haas, a fim de identificar a origem do padrão de batimento, considerando a ocorrência do efeito Rashba devido interações de efeito spin-órbita e propriedades de simetria do sistema. Com essa finalidade foram calculados massas efetivas, concentração e mobilidade eletrônica de portadores, além dos fatores-𝑔 de Landé, para investigar anisotropia do sistema. Nas análises das medidas de magneto transporte para o poço quântico de PbTe:BaF2 foram confirmadas o transporte por multivales, ou seja, com contribuição no transporte eletrônico pelos vales longitudinais e oblíquo da superfície de Fermi, através do cálculo das energias de confinamento dos vales dentro do poço. Enquanto para a heteroestrutura o transporte ocorreu apenas através do vale longitudinal. Para essas amostras também foram verificados os efeitos que contribuíram para geração das componentes oscilatórias do efeito Shubnikov-de Haas. Nesse caso, para o PbTe:BaF2 o cálculo da energia de Rashba de 8,4 𝑚𝑒𝑉 explicou splitting do vale longitudinal e a ocorrência das frequências 𝛼 e 𝛽. Para a heteroestrutura essa energia do splitting de Rashba correspondeu a um valor pequeno de 0,17 𝑚𝑒𝑉, calculada a partir de valores de frequências das oscilações Shubnikov-de Haas extraídas do ajuste Lifshitz-Kosevich (LK). Desse mesmo ajuste foram confirmados o transporte por estados de bulk na heteroestrutura, embora o SnTe seja isolante topológico cristalino e na teoria de isolantes topológicos são esperados transporte por estados de superfície (TSS).	pt_BR
dc.publisher.country	Brasil	pt_BR
dc.publisher.department	IFQ - Instituto de Física e Química	pt_BR
dc.publisher.program	Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Física	pt_BR
dc.publisher.initials	UNIFEI	pt_BR
dc.subject.cnpq	CNPQ::CIÊNCIAS EXATAS E DA TERRA::FÍSICA	pt_BR
dc.relation.references	COSTA, Isabela Franco. Oscilações de Shubnikov-de Haas em nanoestruturas baseadas em semicondutores de gap estreito. 2022. 74 f. Dissertação (Mestrado em Física) – Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2022.	pt_BR