dc.creator |
COSTA, Isabela Franco |
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dc.date.issued |
2022-04-05 |
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dc.identifier.uri |
https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/3282 |
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dc.description.abstract |
Não consta |
pt_BR |
dc.language |
por |
pt_BR |
dc.publisher |
Universidade Federal de Itajubá |
pt_BR |
dc.rights |
Acesso Aberto |
pt_BR |
dc.subject |
Oscilações Shubnikov-de Haas |
pt_BR |
dc.subject |
Efeito Rashba |
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dc.subject |
Poços quânticos de PbTe |
pt_BR |
dc.subject |
Heteroestrutura baseada em SnTe |
pt_BR |
dc.subject |
Isolante topológico cristalino |
pt_BR |
dc.subject |
Transporte por multivales |
pt_BR |
dc.title |
Oscilações de Shubnikov-de Haas em nanoestruturas baseadas em semicondutores de gap estreito |
pt_BR |
dc.type |
Dissertação |
pt_BR |
dc.date.available |
2022-04-25 |
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dc.date.available |
2022-04-25T11:35:05Z |
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dc.date.accessioned |
2022-04-25T11:35:05Z |
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dc.creator.Lattes |
http://lattes.cnpq.br/5946842583369390 |
pt_BR |
dc.contributor.advisor1 |
PERES, Marcelos Lima |
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dc.contributor.advisor1Lattes |
http://lattes.cnpq.br/0335350966509134 |
pt_BR |
dc.description.resumo |
Neste trabalho foram investigadas propriedades de magneto transporte em estruturas de
poço quântico de PbTe, dopado com BaF2, e uma heteroestrutura de SnTe/Sn(1-x)EuxTe.
Ambas as estruturas foram crescidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE)
pelo Laboratório Associado de Sensores e Materiais do Instituto Nacional de Pesquisas
Espaciais – LAS/INPE na cidade de São José dos Campos (SP), a fim de desenvolver
semicondutores com alta cristalinidade. Essas estruturas são do tipo-p e com espessuras
dadas por 10 nm do poço e 5 µm do filme. As medidas realizadas consideraram duas
condições de iluminação, com luz infravermelha (IR) (940 nm de comprimento de onda)
e escuro, para temperaturas variando de 300 K até 1,9 K e com campo magnético aplicado
de até 9 T perpendicular à superfície. Nas discussões das curvas de magnetorresistência
foram analisadas as componentes oscilatórias do efeito Shubnikov-de Haas, a fim de
identificar a origem do padrão de batimento, considerando a ocorrência do efeito Rashba
devido interações de efeito spin-órbita e propriedades de simetria do sistema. Com essa
finalidade foram calculados massas efetivas, concentração e mobilidade eletrônica de
portadores, além dos fatores-𝑔 de Landé, para investigar anisotropia do sistema. Nas
análises das medidas de magneto transporte para o poço quântico de PbTe:BaF2 foram
confirmadas o transporte por multivales, ou seja, com contribuição no transporte
eletrônico pelos vales longitudinais e oblíquo da superfície de Fermi, através do cálculo
das energias de confinamento dos vales dentro do poço. Enquanto para a heteroestrutura
o transporte ocorreu apenas através do vale longitudinal. Para essas amostras também
foram verificados os efeitos que contribuíram para geração das componentes oscilatórias
do efeito Shubnikov-de Haas. Nesse caso, para o PbTe:BaF2 o cálculo da energia de
Rashba de 8,4 𝑚𝑒𝑉 explicou splitting do vale longitudinal e a ocorrência das frequências
𝛼 e 𝛽. Para a heteroestrutura essa energia do splitting de Rashba correspondeu a um valor
pequeno de 0,17 𝑚𝑒𝑉, calculada a partir de valores de frequências das oscilações
Shubnikov-de Haas extraídas do ajuste Lifshitz-Kosevich (LK). Desse mesmo ajuste
foram confirmados o transporte por estados de bulk na heteroestrutura, embora o SnTe
seja isolante topológico cristalino e na teoria de isolantes topológicos são esperados
transporte por estados de superfície (TSS). |
pt_BR |
dc.publisher.country |
Brasil |
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dc.publisher.department |
IFQ - Instituto de Física e Química |
pt_BR |
dc.publisher.program |
Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Física |
pt_BR |
dc.publisher.initials |
UNIFEI |
pt_BR |
dc.subject.cnpq |
CNPQ::CIÊNCIAS EXATAS E DA TERRA::FÍSICA |
pt_BR |
dc.relation.references |
COSTA, Isabela Franco. Oscilações de Shubnikov-de Haas em nanoestruturas baseadas em semicondutores de gap estreito. 2022. 74 f. Dissertação (Mestrado em Física) – Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2022. |
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