UNIFEI - Campus 1: Itajubá PPG - Programas de Pós Graduação Dissertações
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Tipo: Dissertação
Título: Proposta de implementação de dispositivo especializado em tecnologia CMOS padrão para aplicações com alto desempenho.
Autor(es): CABRAL, David Sebastião
Abstract: Este trabalho tem como objetivo o estudo, construção e levantamento de parâmetros de estruturas de barreira Schottky para aplicações em alta frequência e alto desempenho. Para isso, foi feito um estudo aprofundado da TSMC padrão 0,5μ, e algumas alterações no processo e máscaras. Os dispositivos construídos neste trabalho foram de estruturas de barreira Schottky (ou SBD) no arranjo de dedos, com: 5, 9 e 17 dedos. Esta dissertação também tem como objetivo verificar o comportamento estático e dinâmico dos dispositivos para isso, foram extraídos os parâmetros das curvas IxV e de transitório. De posse desses resultados as estruturas desenvolvidas foram comparadas com estruturas de retificação já existentes, a fim de, verificar-se a eficiência de conversão de potência (PCE). Com o resultado deste parâmetro é possível se avaliar o quão eficiente é o circuito de retificação. Foi realizado um modelo elétrico de pequenos sinais para os dispositivos fabricados a fim de se verificar quais os parâmetros podem ser otimizados para melhorar o dispositivo em futuros processos de fabricação
Citação: CABRAL, David Sebastião. Proposta de implementação de dispositivo especializado em tecnologia CMOS padrão para aplicações com alto desempenho. 2012. 78 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) – Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2012
URI: https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/1118
Data do documento: 2012
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