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Modulador em guia de ondas de baixa perda para operações na faixa dos THz

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dc.creator SILVA FRÉ, Gabriel Lobão da
dc.date.issued 2020-11-06
dc.identifier.uri https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/2338
dc.description.abstract This work presents an alternative THz-modulator, using a low-loss slotted waveguide. The interaction between THz-signal and the optical carrier wave is performed along the modulator length, which is substantially greater than the conventional bi-dimension modulators. Two different structures were studied in order to obtain the modulator: a silicon based photo-excited waveguide, and a graphene based electrically controlled waveguide. The modulation depth is greater than 10 dB with a 200 GHz of bandwidth, enabling the device to telecommunication operations in THz frequencies. Moreover, this works results in an integrated silicon on insulator compatible design. pt_BR
dc.description.sponsorship Agência 1 pt_BR
dc.language por pt_BR
dc.publisher Universidade Federal de Itajubá pt_BR
dc.rights Acesso Aberto pt_BR
dc.subject Ondas para THz pt_BR
dc.subject Efeito eletro-óptico pt_BR
dc.subject Efeito foto-condutivo pt_BR
dc.title Modulador em guia de ondas de baixa perda para operações na faixa dos THz pt_BR
dc.type Tese pt_BR
dc.date.available 2021-03-16
dc.date.available 2021-03-16T13:24:27Z
dc.date.accessioned 2021-03-16T13:24:27Z
dc.creator.Lattes http://lattes.cnpq.br/2539115151670208 pt_BR
dc.contributor.advisor1 SPADOTI, Danilo Henrique
dc.contributor.advisor1Lattes http://lattes.cnpq.br/9785887550619619 pt_BR
dc.contributor.advisor-co2 SAITO, Lúcia Akemi Miyazoto
dc.description.resumo Este trabalho apresenta uma alternativa para moduladores que operam na faixa dos THz. Neste caso foi utilizado um guia de ondas de abertura de baixa perdas para obtenção da estrutura final. Como a interação entre o sinal modulante e a onda THz ocorre ao longo do comprimento da estrutura, o desempenho da estrutura se mostra substancialmente melhor que os moduladores convencionais baseados em materiais bidimensionais. Duas estruturas diferentes foram estudadas para obtenção do modulador: um guia de ondas baseado em silício com excitação por bombeio óptico e um guia de onda que utiliza grafeno e controlado eletricamente. A profundidade de modulação obtida foi maior que 10 dB com uma largura de banda de 200 GHz, tornando o dispositivo obtido adequado para operações em telecomunicações em THz. A estrutura resultante é compatível com projetos SoI (Silicon on Insulator ) pt_BR
dc.publisher.country Brasil pt_BR
dc.publisher.department IESTI - Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informação pt_BR
dc.publisher.program Programa de Pós-Graduação: Doutorado - Engenharia Elétrica pt_BR
dc.publisher.initials UNIFEI pt_BR
dc.subject.cnpq CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELÉTRICA pt_BR
dc.relation.references SILVA FRÉ, Gabriel Lobão da. Modulador em guia de ondas de baixa perda para operações na faixa dos THz. 2020. 129 f. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) – Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2020. pt_BR


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