Modulador em guia de ondas de baixa perda para operações na faixa dos THz

SILVA FRÉ, Gabriel Lobão da

dc.creator	SILVA FRÉ, Gabriel Lobão da
dc.date.issued	2020-11-06
dc.identifier.uri	https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/2338
dc.description.abstract	This work presents an alternative THz-modulator, using a low-loss slotted waveguide. The interaction between THz-signal and the optical carrier wave is performed along the modulator length, which is substantially greater than the conventional bi-dimension modulators. Two different structures were studied in order to obtain the modulator: a silicon based photo-excited waveguide, and a graphene based electrically controlled waveguide. The modulation depth is greater than 10 dB with a 200 GHz of bandwidth, enabling the device to telecommunication operations in THz frequencies. Moreover, this works results in an integrated silicon on insulator compatible design.	pt_BR
dc.description.sponsorship	Agência 1	pt_BR
dc.language	por	pt_BR
dc.publisher	Universidade Federal de Itajubá	pt_BR
dc.rights	Acesso Aberto	pt_BR
dc.subject	Ondas para THz	pt_BR
dc.subject	Efeito eletro-óptico	pt_BR
dc.subject	Efeito foto-condutivo	pt_BR
dc.title	Modulador em guia de ondas de baixa perda para operações na faixa dos THz	pt_BR
dc.type	Tese	pt_BR
dc.date.available	2021-03-16
dc.date.available	2021-03-16T13:24:27Z
dc.date.accessioned	2021-03-16T13:24:27Z
dc.creator.Lattes	http://lattes.cnpq.br/2539115151670208	pt_BR
dc.contributor.advisor1	SPADOTI, Danilo Henrique
dc.contributor.advisor1Lattes	http://lattes.cnpq.br/9785887550619619	pt_BR
dc.contributor.advisor-co2	SAITO, Lúcia Akemi Miyazoto
dc.description.resumo	Este trabalho apresenta uma alternativa para moduladores que operam na faixa dos THz. Neste caso foi utilizado um guia de ondas de abertura de baixa perdas para obtenção da estrutura final. Como a interação entre o sinal modulante e a onda THz ocorre ao longo do comprimento da estrutura, o desempenho da estrutura se mostra substancialmente melhor que os moduladores convencionais baseados em materiais bidimensionais. Duas estruturas diferentes foram estudadas para obtenção do modulador: um guia de ondas baseado em silício com excitação por bombeio óptico e um guia de onda que utiliza grafeno e controlado eletricamente. A profundidade de modulação obtida foi maior que 10 dB com uma largura de banda de 200 GHz, tornando o dispositivo obtido adequado para operações em telecomunicações em THz. A estrutura resultante é compatível com projetos SoI (Silicon on Insulator )	pt_BR
dc.publisher.country	Brasil	pt_BR
dc.publisher.department	IESTI - Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informação	pt_BR
dc.publisher.program	Programa de Pós-Graduação: Doutorado - Engenharia Elétrica	pt_BR
dc.publisher.initials	UNIFEI	pt_BR
dc.subject.cnpq	CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELÉTRICA	pt_BR
dc.relation.references	SILVA FRÉ, Gabriel Lobão da. Modulador em guia de ondas de baixa perda para operações na faixa dos THz. 2020. 129 f. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) – Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2020.	pt_BR