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Desenvolvimento de equipamento para avaliação da degradação de semicondutores de potência

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dc.creator GASPAR, Everaldo Simões
dc.date.issued 2005-06-01
dc.identifier.uri https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/3234
dc.description.abstract This work presents a development of an equipment to test power semiconductors (diodes and thyristors). These semiconductors are extensively used in static compensators. It is introduced the theoretic foundations about those devices and required parameters to analyse the degradation in forward blocking (for thyristors) and reverse blocking (for diodes an thyristors). The test circuits development is also presented as well as the equipment´s control software. The set of hardware/software of this instrument allows the automatic execution of tests, acquisiting and recording the informations of each semiconductor tested. Based on the results of these tests, a degradative analysis methodology is proposed, categorizing the components in three possible states of operation: good, deficient or fail. The temperature influence in the blocking characteristics is also analyzed. pt_BR
dc.language por pt_BR
dc.publisher Universidade Federal de Itajubá pt_BR
dc.rights Acesso Aberto pt_BR
dc.subject Sistemas elétricos de potência pt_BR
dc.subject Semicondutores de potência pt_BR
dc.subject Avaliação de equipamentos pt_BR
dc.title Desenvolvimento de equipamento para avaliação da degradação de semicondutores de potência pt_BR
dc.type Dissertação pt_BR
dc.date.available 2022-04-01
dc.date.available 2022-04-01T11:53:56Z
dc.date.accessioned 2022-04-01T11:53:56Z
dc.creator.Lattes http://lattes.cnpq.br/7200526505335982 pt_BR
dc.contributor.advisor1 SILVA, Luiz Eduardo Borges da
dc.contributor.advisor1Lattes http://lattes.cnpq.br/8514450520201861 pt_BR
dc.contributor.advisor-co1 SILVA, Valberto Ferreira da
dc.contributor.advisor-co1Lattes http://lattes.cnpq.br/6254328944222311 pt_BR
dc.description.resumo Este trabalho apresenta o desenvolvimento de um equipamento testador de semicondutores de potência, dos tipos diodos e tiristores. Estes semicondutores são utilizados extensivamente em compensadores estáticos de reativos. São apresentados os fundamentos teóricos sobre estes dispositivos e os parâmetros necessários para a análise de degradação relativas as características de bloqueio direto (para tiristores) e reverso (para diodos e tiristores). O desenvolvimento dos circuitos de teste são também demonstrados, assim como o software de controle do equipamento. O conjunto hardware/software deste instrumento permite a execução automática dos testes, aquisitando e arquivando dados resultantes de cada ensaio destes semicondutores. Com base nos resultados destes testes, uma metodologia de análise de degradação é proposta, classificando os componentes como em três estados de operação possíveis: bom, defeituoso ou falho. A influência da temperatura nas características de bloqueio é também analisada. pt_BR
dc.publisher.country Brasil pt_BR
dc.publisher.department IESTI - Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informação pt_BR
dc.publisher.program Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia Elétrica pt_BR
dc.publisher.initials UNIFEI pt_BR
dc.subject.cnpq CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELÉTRICA::SISTEMAS ELÉTRICOS DE POTÊNCIA pt_BR
dc.relation.references GASPAR, Everaldo Simões. Desenvolvimento de equipamento para avaliação da degradação de semicondutores de potência. 2005. 165 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) – Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2005. pt_BR


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