dc.creator |
GASPAR, Everaldo Simões |
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dc.date.issued |
2005-06-01 |
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dc.identifier.uri |
https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/3234 |
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dc.description.abstract |
This work presents a development of an equipment to test power
semiconductors (diodes and thyristors). These semiconductors are extensively
used in static compensators. It is introduced the theoretic foundations about
those devices and required parameters to analyse the degradation in forward
blocking (for thyristors) and reverse blocking (for diodes an thyristors). The test
circuits development is also presented as well as the equipment´s control
software. The set of hardware/software of this instrument allows the automatic
execution of tests, acquisiting and recording the informations of each
semiconductor tested. Based on the results of these tests, a degradative
analysis methodology is proposed, categorizing the components in three
possible states of operation: good, deficient or fail. The temperature influence in
the blocking characteristics is also analyzed. |
pt_BR |
dc.language |
por |
pt_BR |
dc.publisher |
Universidade Federal de Itajubá |
pt_BR |
dc.rights |
Acesso Aberto |
pt_BR |
dc.subject |
Sistemas elétricos de potência |
pt_BR |
dc.subject |
Semicondutores de potência |
pt_BR |
dc.subject |
Avaliação de equipamentos |
pt_BR |
dc.title |
Desenvolvimento de equipamento para avaliação da degradação de semicondutores de potência |
pt_BR |
dc.type |
Dissertação |
pt_BR |
dc.date.available |
2022-04-01 |
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dc.date.available |
2022-04-01T11:53:56Z |
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dc.date.accessioned |
2022-04-01T11:53:56Z |
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dc.creator.Lattes |
http://lattes.cnpq.br/7200526505335982 |
pt_BR |
dc.contributor.advisor1 |
SILVA, Luiz Eduardo Borges da |
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dc.contributor.advisor1Lattes |
http://lattes.cnpq.br/8514450520201861 |
pt_BR |
dc.contributor.advisor-co1 |
SILVA, Valberto Ferreira da |
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dc.contributor.advisor-co1Lattes |
http://lattes.cnpq.br/6254328944222311 |
pt_BR |
dc.description.resumo |
Este trabalho apresenta o desenvolvimento de um equipamento testador
de semicondutores de potência, dos tipos diodos e tiristores. Estes
semicondutores são utilizados extensivamente em compensadores estáticos de
reativos. São apresentados os fundamentos teóricos sobre estes dispositivos e
os parâmetros necessários para a análise de degradação relativas as
características de bloqueio direto (para tiristores) e reverso (para diodos e
tiristores). O desenvolvimento dos circuitos de teste são também
demonstrados, assim como o software de controle do equipamento. O conjunto
hardware/software deste instrumento permite a execução automática dos
testes, aquisitando e arquivando dados resultantes de cada ensaio destes
semicondutores. Com base nos resultados destes testes, uma metodologia de
análise de degradação é proposta, classificando os componentes como em três
estados de operação possíveis: bom, defeituoso ou falho. A influência da
temperatura nas características de bloqueio é também analisada. |
pt_BR |
dc.publisher.country |
Brasil |
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dc.publisher.department |
IESTI - Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informação |
pt_BR |
dc.publisher.program |
Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia Elétrica |
pt_BR |
dc.publisher.initials |
UNIFEI |
pt_BR |
dc.subject.cnpq |
CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELÉTRICA::SISTEMAS ELÉTRICOS DE POTÊNCIA |
pt_BR |
dc.relation.references |
GASPAR, Everaldo Simões. Desenvolvimento de equipamento para avaliação da degradação de semicondutores de potência. 2005. 165 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) – Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2005. |
pt_BR |