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Desenvolvimento de um amplificador CMOS totalmente integrado para operar em 1.8Ghz

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dc.creator VILASBOAS, Felipe Ribeiro Campos
dc.date.issued 2004-12-17
dc.identifier.uri https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/3482
dc.description.abstract One of the most relevant parts of a receiver is the Low Noise Amplifier – LNA. This work describes the design of a fully integrated LNA implemented in 0.35µm CMOS. The circuit should be capable of operating at 1805MHz-1820MHz band, which corresponds to the D Band of mobile communications in Brazil. The design was fully integrated, including the inductors. It was used the two stage architecture in order to achieve enough gain and provide good isolation between input and output. pt_BR
dc.language por pt_BR
dc.publisher Universidade Federal de Itajubá pt_BR
dc.rights Acesso Aberto pt_BR
dc.subject Sistemas de comunicação móvel pt_BR
dc.subject Comunicação e GSM pt_BR
dc.subject Linearidade pt_BR
dc.subject Ruído pt_BR
dc.title Desenvolvimento de um amplificador CMOS totalmente integrado para operar em 1.8Ghz pt_BR
dc.type Dissertação pt_BR
dc.date.available 2023-02-07
dc.date.available 2023-02-07T17:30:43Z
dc.date.accessioned 2023-02-07T17:30:43Z
dc.creator.Lattes http://lattes.cnpq.br/4294241449907016 pt_BR
dc.contributor.advisor1 PIMENTA, Tales Cleber
dc.contributor.advisor1Lattes http://lattes.cnpq.br/3321577431881283 pt_BR
dc.description.resumo Esse trabalho descreve o projeto de um amplificador de baixo ruído (LNA) que foi implementado em tecnologia CMOS de 0,35µm. O circuito irá operar na faixa de freqüência de 1805 MHz a 1820 MHz, correspondente a Banda D de telefonia celular no Brasil. O LNA é totalmente integrado, inclusive os indutores que foram implementados usando uma das camadas de metal oferecidas pelo processo. Foi utilizada uma arquitetura de dois estágios para prover ganho suficiente e prover um ótimo isolamento entre a entrada e a saída. pt_BR
dc.publisher.country Brasil pt_BR
dc.publisher.department IESTI - Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da Informação pt_BR
dc.publisher.program Programa de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia Elétrica pt_BR
dc.publisher.initials UNIFEI pt_BR
dc.subject.cnpq CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELÉTRICA pt_BR
dc.relation.references VILASBOAS, Felipe Ribeiro Campos. Desenvolvimento de um amplificador CMOS totalmente integrado para operar em 1.8Ghz. 2004. 105 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) – Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2004. pt_BR


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